Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 1, страницы 71–76
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54933.4545
(Mi phts6836)
 

Физика полупроводниковых приборов

Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$

Л. А. Снигиревa, В. И. Ушановa, А. А. Ивановa, Н. А. Бертa, Д. А. Кириленкоa, М. А. Яговкинаa, В. В. Преображенскийb, М. А. Путятоb, Б. Р. Семягинb, И. А. Касаткинc, В. В. Чалдышевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$ с содержанием алюминия $x\sim$ 60% и содержанием сурьмы $y\sim$ 3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb.
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-22-20105
Санкт-Петербургский государственный университет 25/2022
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 22-22-20105, https://rscf.ru/en/project/22-22-20105/ и гранта Санкт-Петербургского научного фонда в соответствии с соглашением от 14.04 2022 г. № 25/2022.
Поступила в редакцию: 19.01.2023
Исправленный вариант: 07.02.2023
Принята в печать: 09.02.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. А. Снигирев, В. И. Ушанов, А. А. Иванов, Н. А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, И. А. Касаткин, В. В. Чалдышев, “Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 71–76
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SniUshIva23}
\by Л.~А.~Снигирев, В.~И.~Ушанов, А.~А.~Иванов, Н.~А.~Берт, Д.~А.~Кириленко, М.~А.~Яговкина, В.~В.~Преображенский, М.~А.~Путято, Б.~Р.~Семягин, И.~А.~Касаткин, В.~В.~Чалдышев
\paper Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb--Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 1
\pages 71--76
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6836}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54933.4545}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50399149}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6836
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i1/p71
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:17
    PDF полного текста:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025