Исследование динамики включения низковольтных InP-гомотиристоров

С использованием методов численного моделирования проведены исследования серии конструкций гетероструктур низковольтных гомотиристоров InP. В качестве базовой рассматривалась конструкция со слоем объемного заряда, сформированным в области $p$-базы $n$–$p$–$n$-транзисторной части. Исследованы динамические характеристики и процессы, определяющие скорость перехода во включенное состояние. Показано, что при увеличении толщины $p$-базы с 1 до 2.6 мкм достигаемые максимальные токи в открытом состоянии увеличиваются с 70 до 90 А, при этом минимальное время перехода во включенное состояние достигает 11 нс при максимальном блокируемом напряжении 55 В. Продемонстрировано, что эффективность работы во включенном состоянии определяется остаточным напряжением, величина которого снижается при уменьшении толщины $p$-базы.