Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 6, страницы 406–413
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.06.56466.22k
(Mi phts6891)
 

XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии

А. С. Гудовскихab, А. В. Уваровa, А. И. Барановa, Е. А. Вячеславоваa, А. А. Максимоваab, Д. А. Кириленкоc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Впервые с помощью метода плазмохимического атомно-слоевого осаждения были выращены слои InP при температуре 380$^\circ$C на Si-подложках. Согласно исследованиям с помощью рентгенодифракционного анализа и просвечивающей электронной микроскопии слои имеют микрокристаллическую структуру с размером зерен 20–30 нм и преимущественной ориентацией (111). На спектрах комбинационного рассеяния света четко различим пик LO на 341.9 см$^{-1}$, характерный для кристаллического InP. Микрокристаллические слои InP, выращенные на кварцевых подложках, продемонстрировали фотопроводимость 2.3 Ом$^{-1}$ $\cdot$ см$^{-1}$ при освещении солнечным спектром AM1.5G (100 мВт/см$^2$). Исследования по интеграции роста слоев бинарных соединений InP и GaP в одном процессе атомно-слоевого плазмохимического осаждения продемонстрировали принципиальную возможность контроля состава цифровых твердых растворов InP/GaP. Для цифровых твердых растворов InP/GaP характерно сливание LO пиков InP (341.9 см$^{-1}$) и GaP (365 см$^{-1}$) на спектрах комбинационного рассеяния света. При этом с ростом доли GaP наблюдается расширение отклика от слоя за счет сдвига края в сторону TO пика GaP (402 см$^{-1}$). Исследования с помощью измерения пропускания и отражения оптических свойств микрокристаллических слоев цифровых твердых растворов InP/GaP, осажденных на прозрачные подложки, продемонстрировали возможность вариации оптической ширины запрещенной зоны в широком диапазоне 1.3–2 эВ.
Ключевые слова: GaP, InP, атомно-слоевое осаждение, многослойные структуры, фотопроводимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2023-0007
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ (проект № 0791-2023-0007).
Поступила в редакцию: 24.08.2023
Исправленный вариант: 01.09.2023
Принята в печать: 01.09.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гудовских, А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, “Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 406–413
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudUvaBar23}
\by А.~С.~Гудовских, А.~В.~Уваров, А.~И.~Баранов, Е.~А.~Вячеславова, А.~А.~Максимова, Д.~А.~Кириленко
\paper Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 6
\pages 406--413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6891}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2023.06.56466.22k}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=55831048}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6891
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i6/p406
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025