Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe

Проведены исследования спектров стимулированного излучения волноводной гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe. В ходе исследований использовалась оптическая накачка на длинах волн 2 и 2.3 мкм, которые в основном поглощаются, соответственно, в барьерах и квантовых ямах. Было установлено, что в обоих случаях оптическая накачка приводит к возникновению стимулированного излучения, с длиной волны, соответствующей энергии основного перехода в квантовых ямах, которая составляет 138 мэВ. При использовании накачки, поглощающейся в барьерах, было обнаружено, что на спектрах возникает коротковолновая линия излучения с энергией 248 мэВ, которая может быть объяснена переходами с участием глубоких донорных уровней. При температуре жидкого азота увеличение интенсивности накачки приводит к появлению узкого пика на фоне коротковолновой линии, и, подбирая параметры накачки, можно достичь двухчастотной генерации на длинах волн 5 и 7 мкм.