Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 624–627
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56956.5097C (Mi phts6933) 		 
Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Особенности фазового перехода в тонких пленках суперионного полупроводника AgI

А. А. Кононовa, А. В. Ильинскийb, Р. А. Кастроa, В. А. Климовb, М. Э. Пашкевичc, И. О. Поповаa, Е. Б. Шадринb

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195291 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (267 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56956.5097C
Аннотация: Рассмотрены особенности релаксационных процессов, характеризующих фазовый переход в суперионном полупроводнике AgI. На спектрах тангенса угла диэлектрических потерь и на диаграммах Коул–Коула обнаружены два максимума, соответствующие релаксации массивов свободных электронов и положительно заряженных ионов серебра. Показано, что исследуемый материал характеризуется температурным гистерезисом, выражающимся в отставании по температуре обратного фазового перехода из суперионной фазы в полупроводниковую.
Ключевые слова: фазовый переход, суперионник, иодид серебра, релаксационные процессы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации VRFY-2023-0005
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства просвещения Российской Федерации (государственное задание № VRFY-2023-0005).
Поступила в редакцию: 12.05.2023
Исправленный вариант: 12.09.2023
Принята в печать: 30.10.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Кононов, А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, В. А. Климов, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, Е. Б. Шадрин, “Особенности фазового перехода в тонких пленках суперионного полупроводника AgI”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 624–627
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonIliCas23}
\by А.~А.~Кононов, А.~В.~Ильинский, Р.~А.~Кастро, В.~А.~Климов, М.~Э.~Пашкевич, И.~О.~Попова, Е.~Б.~Шадрин
\paper Особенности фазового перехода в тонких пленках суперионного полупроводника AgI
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 8
\pages 624--627
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6933}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56956.5097C}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=64906766}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6933
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i8/p624
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025