Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена

Уменьшение толщины полупроводников до предела в несколько монослоев часто приводит к появлению новых свойств материала. Для пластин теллурида кадмия как в фазе сфалерита, так и в инвертированной фазе методом теории функционала плотности исследована зависимость ширины запрещенной зоны от их толщины. Для фазы сфалерита характерно чередование слоев Cd–Te–Cd–Te, тогда как в инвертированной фазе порядок следования слоев Te–Cd–Cd–Te. Показано, что при использовании пластин толщиной от одного до нескольких монослоев можно получать варизонные структуры.