Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами

Исследованы фото- и электролюминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы – в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной рекомбинации донор-основная подзона тяжелых дырок $(D-hh1)$ и основная подзона электронов-акцептор $(e1-A)$. В спектрах электролюминесценции при больших токах накачки наблюдалась лазерная генерация на указанных переходах. Установлено, что интегральная интенсивность лазерного излучения на переходах $D-hh1$ в структуре без пространственного разделения доноров и акцепторов была в 5 раз больше, чем в структуре с пространственным разделением. Именно эти переходы обеспечивают эффективное опустошение донорных уровней, что актуально для эмиссии терагерцового излучения на переходах $e1-D$. Результаты работы могут быть использованы при разработке терагерцовых эмиттеров с электрической накачкой.