Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 678–683
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56967.5670 (Mi phts6944) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs

С. О. Слипченкоa, А. А. Подоскинa, И. В. Шушкановa, В. А. Крючковa, А. Э. Ризаевa, М. И. Кондратовa, А. Е. Гришинa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевab, В. Н. Светогоровb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия
PDF полного текста (171 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56967.5670
Аннотация: Разработан ряд низковольтных тиристорных токовых ключей на основе гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs с областью объемного заряда, сформированной в слабо легированном слое базы $p$-GaAs. Исследованы особенности переходных процессов в режиме генерации импульсов наносекундной длительности. Показано, что использование широкозонного барьера на основе AlGaAs на границе $n$-эмиттер/$p$-база позволяет снизить минимальную амплитуду тока управления с 30 до 3 мА, а время задержки включения может быть сокращено до 6 нс. Для разработанных тиристорных ключей было продемонстрировано минимальное время переходного процесса 3.7–3.9 нс при работе в контуре с конденсатором емкостью 1 нФ. В цепи с резистивной нагрузкой номиналом 1Ом тиристорные ключи обеспечивали пиковый ток 17.5 А при длительности импульса 3.7 нс.
Ключевые слова: гимотиристор, гетеротиристор, токовый ключ, импульс тока, гетероструктура AlGaAs/GaAs, полупроводниковая гомоструктура.
Поступила в редакцию: 17.10.2023
Исправленный вариант: 03.11.2023
Принята в печать: 03.11.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. А. Крючков, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. Е. Гришин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 678–683
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SliPodShu23}
\by С.~О.~Слипченко, А.~А.~Подоскин, И.~В.~Шушканов, В.~А.~Крючков, А.~Э.~Ризаев, М.~И.~Кондратов, А.~Е.~Гришин, Н.~А.~Пихтин, Т.~А.~Багаев, В.~Н.~Светогоров, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, В.~А.~Симаков
\paper Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 8
\pages 678--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6944}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56967.5670}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=64906779}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6944
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i8/p678
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025