Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 693–699
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56969.5763
(Mi phts6946)
 

Физика полупроводниковых приборов

Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. Е. Гришин, С. О. Слипченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследованы излучательные характеристики микролинеек лазерных диодов, работающих во внешнем резонаторе на основе асферической линзы и плоского диэлектрического зеркала. Микролинейки имели излучающую апертуру 185 мкм, сформированную 10 полосками шириной 6 мкм, разделенными мезаканавками. Работа во внешнем резонаторе всей излучающей апертуры характеризуется многомодовым режимом генерации с пиковой мощностью 3 Вт/6 А. Селекция латеральных модовых структур и переход к одномодовому режиму возможен за счет ограничения количества полосков, вовлеченных в обратную связь. Продемонстрированы закономерности перестроения модовых конфигураций при введении ограничивающих экранов во внешний резонатор. Показано, что ограничение излучающей апертуры, вовлеченной в обратную связь, до 65 мкм позволяет реализовать режим генерации на одной общей латеральной моде с расходимостью в дальней зоне для центрального лепестка 1$^\circ$.
Ключевые слова: лазерная линейка, внешний резонатор, мода высокого порядка.
Поступила в редакцию: 17.11.2023
Исправленный вариант: 04.12.2023
Принята в печать: 04.12.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. Е. Гришин, С. О. Слипченко, “Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 693–699
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodShuRiz23}
\by А.~А.~Подоскин, И.~В.~Шушканов, А.~Э.~Ризаев, М.~И.~Кондратов, А.~Е.~Гришин, С.~О.~Слипченко
\paper Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 8
\pages 693--699
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6946}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2023.08.56969.5763}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=64906781}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6946
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i8/p693
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025