Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 5, страницы 472–478
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52348.9790
(Mi phts7041)
 

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм

В. В. Румянцевab, А. А. Разоваab, Д. В. Козловab, М. А. Фадеевa, К. В. Маремьянинa, В. В. Уточкинa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация: Гетероструктуры с квантовыми ямами Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te с малой шириной запрещенной зоны в последние годы активно исследуются как в связи с тематикой топологических изоляторов, так и с точки зрения их применения в оптоэлектронике терагерцового диапазона. В данной работе исследуются спектры фотопроводимости и фотолюминесценции гетероструктуры с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe с шириной запрещенной зоны 40 мэВ. Кроме межзонных переходов, идентифицированы особенности спектров, связанные с резонансными состояниями акцепторов. Обсуждаются возможности использования исследуемых структур для создания межзонных излучателей на длине волны $\sim$30 мкм, недоступной для существующих квантово-каскадных лазеров.
Ключевые слова: узкозонные полупроводники, HgCdTe, резонансные состояния, акцепторы, фотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации МК-1430.2020.2
Российский научный фонд 20-42-09039
Исследования фотопроводимости и расчет энергий межзонных переходов и энергии ионизации акцепторных состояний поддержаны Министерством науки и высшего образования РФ (грант Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук и докторов наук МК-1430.2020.2). Исследования фотолюминесценции поддержаны грантом Российского научного фонда (RSF-ANR Grant № 20-42-09039).
Поступила в редакцию: 25.12.2021
Исправленный вариант: 30.12.2021
Принята в печать: 30.12.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RumRazKoz22}
\by В.~В.~Румянцев, А.~А.~Разова, Д.~В.~Козлов, М.~А.~Фадеев, К.~В.~Маремьянин, В.~В.~Уточкин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, В.~И.~Гавриленко, С.~В.~Морозов
\paper Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15--30 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 5
\pages 472--478
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7041}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52348.9790}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48412061}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7041
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i5/p472
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:120
    PDF полного текста:60
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026