Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 6, страницы 547–552
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.06.52587.9816 (Mi phts7057) 		 
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния

П. В. Серединab, Али Обаид Радамa, Д. Л. Голощаповa, А. С. Леньшинac, Н. С. Буйловa, К. А. Барковa, Д. Н. Нестеровa, А. М. Мизеровd, С. Н. Тимошневd, Е. В. Никитинаd, И. Н. Арсентьевe, Ш. Шарофидиновe, Л. С. Вавиловаe, С. А. Кукушкинf, И. А. Касаткинg

a Воронежский государственный университет, 394018 Воронеж, Россия
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
c Воронежский государственный университет инженерных технологий, 394000 Воронеж, Россия
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
f Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия
g Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (371 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.06.52587.9816
Аннотация: Проведено структурно-спектроскопическое исследование эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на гибридной подложке SiC/por-Si, содержавшей слои карбида кремния и пористого кремния. С использованием методов рентгеновской дифрактометрии, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии показано, что сформированные на гибридной подложке тонкие пленки имеют минимальные остаточные напряжения и интенсивную фотолюминесценцию.
Ключевые слова: AlGaN, GaN, por-Si, молекулярно-пучковая эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-10007
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации ФЗГУ-2020-0036
ФСРМ-2020-0008
075-15-2021-1351
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда 19-72-10007. Работа частично поддержана Министерством образования и науки Российской Федерации (гранты № ФЗГУ-2020-0036 и № ФСРМ-2020-0008). В части доступа к научному оборудованию и методологии данное исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки России по договору № 075-15-2021-1351.
Поступила в редакцию: 15.02.2022
Исправленный вариант: 21.02.2022
Принята в печать: 21.02.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 547–552
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerRadGol22}
\by П.~В.~Середин, Али~Обаид~Радам, Д.~Л.~Голощапов, А.~С.~Леньшин, Н.~С.~Буйлов, К.~А.~Барков, Д.~Н.~Нестеров, А.~М.~Мизеров, С.~Н.~Тимошнев, Е.~В.~Никитина, И.~Н.~Арсентьев, Ш.~Шарофидинов, Л.~С.~Вавилова, С.~А.~Кукушкин, И.~А.~Касаткин
\paper Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 6
\pages 547--552
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7057}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.06.52587.9816}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49222831}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7057
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i6/p547
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:84
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025