Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7, страницы 627–629
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52749.04 (Mi phts7072) 		 
XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN

Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (242 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52749.04
Аннотация: Изучено влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным $\delta$-легированием. Показано, что отжиг дает дополнительные возможности для управления эффективной высотой барьера диодов, улучшения и тонкой настройки их транспортных характеристик. Термический отжиг может использоваться при изготовлении низкобарьерных диодов, предназначенных для работы при высоких температурах.
Ключевые слова: низкобарьерный диод, GaN, транспортные свойства, термический отжиг.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0030-2021-0023
Работа выполнена в рамках государственного задания Института физики микроструктур Российской академии наук (тема № 0030-2021-0023).
Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 627–629
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VosDroKra22}
\by Н.~В.~Востоков, М.~Н.~Дроздов, С.~А.~Краев, О.~И.~Хрыкин, П.~А.~Юнин
\paper Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 7
\pages 627--629
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7072}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52749.04}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49223507}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7072
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i7/p627
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:111
    PDF полного текста:57
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026