Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7, страницы 689–692
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52761.16 (Mi phts7084) 		 
XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резникa, В. О. Гридчинabc, К. П. Котлярabc, А. И. Хребтовb, Е. В. Убыйвовкa, С. В. Микушевa, D. Lid, R. Radhakrishnand, J. F. Netod, N. Akopiand, Г. Э. Цырлинabc

a Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия
d DTU Fotonik, 2800 Kongens Lyngby, Denmark
PDF полного текста (348 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52761.16
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III–V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи.
Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III–V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2020-0003
European Research Council 101003378
Санкт-Петербургский государственный университет 92591131
Синтез экспериментальных образцов выполнен при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования в части государственного задания № 0791-2020-0003. Исследования оптических свойств выращенных наноструктур проведены при финансовой поддержке the European Research Council (ERC) under the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme (grant agreement № 101003378). Исследования структурных свойств экспериментальных образцов выполнены при финансовой поддержке Санкт-Петербургского государственного университета в рамках исследовательского гранта № 92591131.
Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, А. И. Хребтов, Е. В. Убыйвовк, С. В. Микушев, D. Li, R. Radhakrishnan, J. F. Neto, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 689–692
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezGriKot22}
\by Р.~Р.~Резник, В.~О.~Гридчин, К.~П.~Котляр, А.~И.~Хребтов, Е.~В.~Убыйвовк, С.~В.~Микушев, D.~Li, R.~Radhakrishnan, J.~F.~Neto, N.~Akopian, Г.~Э.~Цырлин
\paper Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 7
\pages 689--692
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7084}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52761.16}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49223519}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7084
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i7/p689
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:189
    PDF полного текста:113
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026