Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 8, страницы 814–823
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.08.53151.9890 (Mi phts7107) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм

С. А. Блохинa, А. В. Бабичевb, Л. Я. Карачинскийb, И. И. Новиковb, А. А. Блохинa, М. А. Бобровa, А. Г. Кузьменковa, Н. А. Малеевa, В. В. Андрюшкинb, В. Е. Бугровb, А. Г. Гладышевc, Д. В. Денисовd, К. О. Воропаевe, И. О. Жумаеваe, В. М. Устиновf, H. Lig, S. С. Tianhi, S. Y. Hanhi, Г. А. Сапуновhi, А. Ю. Егоровcj, D. Bimberghi

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
e АО "ОКБ-Планета", 173004 Великий Новгород, Россия
f Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
g College of Mathematical and Physical Sciences, Qingdao University of Science and Technology, 266061 Qingdao, China
h Center of Nanophotonics, Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin, Germany
i Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences
j Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (676 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.08.53151.9890
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1550 нм, созданных по технологии спекания пластины оптического резонатора InAlGaAs/InP с пластинами распределенных отражателей AlGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Лазеры с диаметром мезы заращенного туннельного перехода менее 7 мкм продемонстрировали одномодовую лазерную генерацию с фактором подавления боковых мод более 40 дБ, однако при размерах мезы менее 5 мкм наблюдается резкое увеличение порогового тока, обусловленное возникновением насыщающегося поглотителя из-за проникновения поля фундаментальной моды в непрокачиваемые области активной области. Максимальные выходная оптическая мощность в одномодовом режиме генерации и эффективная частота модуляции по уровню спада сигнала на -3 дБ достигали значений 4.5 мВт и 8 ГГц соответственно при 20$^\circ$С. Максимальная скорость передачи данных при 20$^\circ$C в режиме прямой токовой модуляции при кодировании по амплитудному формату без возвращения к нулю составила 23 Гбит/с для короткой линии связи на основе одномодового волокна SMF-28. По мере увеличения протяженности оптической линии связи до 2000 м предельная скорость передачи данных падала и составляла 18 Гб/с. Выявлены и обсуждаются основные факторы, влияющие на быстродействие и дальность передачи данных, и предложены дальнейшие пути их преодоления.
Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, молекулярно-пучковая эпитаксия, одномодовый режим, быстродействие.
Финансовая поддержка Номер гранта
Программа Приоритет-2030
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 2019-1442
Работа авторов из Университета ИТМО выполнена при финансовой поддержке программы “Приоритет 2030” в части исследований ряда динамических характеристик, а также при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект тематики научных исследований № 2019-1442 в части ряда исследований статических характеристик.
Поступила в редакцию: 17.05.2022
Исправленный вариант: 16.06.2022
Принята в печать: 16.06.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Блохин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. В. Андрюшкин, В. Е. Бугров, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, H. Li, S. С. Tian, S. Y. Han, Г. А. Сапунов, А. Ю. Егоров, D. Bimberg, “Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 814–823
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloBabKar22}
\by С.~А.~Блохин, А.~В.~Бабичев, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, А.~Г.~Кузьменков, Н.~А.~Малеев, В.~В.~Андрюшкин, В.~Е.~Бугров, А.~Г.~Гладышев, Д.~В.~Денисов, К.~О.~Воропаев, И.~О.~Жумаева, В.~М.~Устинов, H.~Li, S.~С.~Tian, S.~Y.~Han, Г.~А.~Сапунов, А.~Ю.~Егоров, D.~Bimberg
\paper Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 8
\pages 814--823
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7107}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.08.53151.9890}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49223541}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7107
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i8/p814
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:20
    PDF полного текста:3
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025