Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9, страницы 908–914
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53414.9857 (Mi phts7124) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии

А. В. Бабичевa, Д. А. Михайловb, Е. С. Колодезныйa, А. Г. Гладышевa, Г. В. Вознюкb, М. И. Митрофановbc, Д. В. Денисовd, С. О. Слипченкоb, А. В. Лютецкийb, В. В. Дюделевb, В. П. Евтихиевb, Л. Я. Карачинскийa, И. И. Новиковa, Г. С. Соколовскийb, Н. А. Пихтинb, А. Ю. Егоровe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (797 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53414.9857
Аннотация: Представлены результаты исследований квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7.5–8.0 мкм с кольцевым резонатором и поверхностным выводом излучения. Дифракционная решетка 2-го порядка с расчетной величиной коэффициента связывания $\sim$9 см$^{-1}$ сформирована на всей поверхности кольцевого резонатора методом прямой литографии сфокусированным ионным пучком. Продемонстрирована многомодовая лазерная генерация с поверхностным выводом излучения при комнатной температуре вблизи 7.75 мкм с пороговой плотностью тока $\sim$8 кА/см$^2$ при внешнем радиусе кольцевого резонатора 202 мкм. Результаты исследования распределения интенсивности в зоне дальнего поля вблизи нормали к поверхности показали наличие двух максимумов. Показано, что реализованного коэффициента связывания недостаточно для обеспечения одночастотного режима генерации в исследуемых квантово-каскадных лазерах с кольцевым резонатором.
Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия, прямая ионная литография.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-79-10285
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 20-79-10285).
Поступила в редакцию: 18.04.2022
Исправленный вариант: 25.06.2022
Принята в печать: 05.07.2022
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2023, Volume 57, Issue 10, Pages 445–450
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782623090038
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, Д. А. Михайлов, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. В. Денисов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. В. Дюделев, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Г. С. Соколовский, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 908–914; Semiconductors, 57:10 (2023), 445–450
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabMikKol22}
\by А.~В.~Бабичев, Д.~А.~Михайлов, Е.~С.~Колодезный, А.~Г.~Гладышев, Г.~В.~Вознюк, М.~И.~Митрофанов, Д.~В.~Денисов, С.~О.~Слипченко, А.~В.~Лютецкий, В.~В.~Дюделев, В.~П.~Евтихиев, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, Г.~С.~Соколовский, Н.~А.~Пихтин, А.~Ю.~Егоров
\paper Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 9
\pages 908--914
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7124}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53414.9857}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49607473}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2023
\vol 57
\issue 10
\pages 445--450
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782623090038}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7124
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i9/p908
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:10
    PDF полного текста:3
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025