Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li

Проведены исследования электронной структуры эпитаксиальных слоев GaN/Si(111) и границы раздела Li/GaN/Si(111) при монослойном покрытии Li in situ в условиях сверхвысокого вакуума. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75–850 эВ. Исследованы фотоэмиссионные спектры валентной зоны и остовных уровней Ga $3d$, N $1s$ при монослойном покрытии Li. Обнаружено, что адсорбция Li вызывает существенный спад интенсивности фотоэмиссионной линии собственного поверхностного состояния и возникновение индуцированного поверхностного состояния за счет переноса заряда между адсорбированным слоем Li и поверхностными атомами Ga. Установлено, что поверхность GaN/Si(111) имеет преимущественно Ga-полярность. Граница раздела Li/GaN/Si(111) имеет полупроводниковый характер.