Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 10, страницы 1002–1010
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.10.53963.9951 (Mi phts7139) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

А. В. Бабичевa, Е. В. Пироговb, М. С. Соболевb, Д. В. Денисовb, Н. А. Фоминыхbc, А. И. Барановb, А. С. Гудовскихb, И. А. Мельниченкоbc, П. А. Юнинd, В. Н. Неведомскийe, М. В. Токаревe, Б. Я. Берe, А. Г. Гладышевa, Л. Я. Карачинскийa, И. И. Новиковa, А. Ю. Егоровb

a Национальный исследовательский университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190121 Санкт-Петербург, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, 03950 Нижний Новгород, Россия
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1276 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.10.53963.9951
Аннотация: Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии слоев InAs в слои GaAsN. Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции, а также электролюминесценции при различных уровнях накачки. Продемонстрирована эффективная электролюминесценция вблизи 1150 нм с характерной полной шириной линии, измеренной на полувысоте $\sim$90 мэВ.
Ключевые слова: сверхрешетки, молекулярно-пучковая эпитаксия, арсенид галлия, разбавленный нитрид, GaAsN, InAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-19-00718
Программа стратегического академического лидерства Приоритет-2030
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
Работа авторов из Академического университета им. Ж.И. Алфёрова выполнена за счет гранта Российского научного фонда (проект № 21-19-00718) в части разработки конструкции, эпитаксии гетероструктур, ПЭМ и ВИМС исследований, исследования электролюминесцентных свойств. Работа авторов из Университета ИТМО выполнена при финансовой поддержке программы “Приоритет 2030” в части исследования рентгенодифракционных кривых. И.А. Мельниченко и Н.А. Фоминых благодарят за поддержку Программу фундаментальных исследований Национального исследовательского университета “Высшая школа экономики” в части анализа спектров фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 23.08.2022
Исправленный вариант: 26.09.2022
Принята в печать: 26.09.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Д. В. Денисов, Н. А. Фоминых, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, И. А. Мельниченко, П. А. Юнин, В. Н. Неведомский, М. В. Токарев, Б. Я. Бер, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 1002–1010
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabPirSob22}
\by А.~В.~Бабичев, Е.~В.~Пирогов, М.~С.~Соболев, Д.~В.~Денисов, Н.~А.~Фоминых, А.~И.~Баранов, А.~С.~Гудовских, И.~А.~Мельниченко, П.~А.~Юнин, В.~Н.~Неведомский, М.~В.~Токарев, Б.~Я.~Бер, А.~Г.~Гладышев, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~Ю.~Егоров
\paper Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 10
\pages 1002--1010
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7139}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.10.53963.9951}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49988311}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7139
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i10/p1002
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:9
    PDF полного текста:2
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025