Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 1, страницы 23–28
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.01.60496.7698 (Mi phts7167) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки

А. В. Бабичевa, Н. Ю. Харинb, Е. С. Колодезныйa, Д. С. Папылевa, Г. В. Вознюкc, М. И. Митрофановcd, А. Г. Гладышевa, С. О. Слипченкоc, А. В. Лютецкийc, В. П. Евтихиевc, В. Ю. Паневинb, Л. Я. Карачинскийa, И. И. Новиковa, Н. А. Пихтинc, А. Ю. Егоровa

a Национальный исследовательский университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (411 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.01.60496.7698
Аннотация: Представлены результаты исследования поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с селективным кольцевым резонатором радиуса 284 мкм. Использование дифракционной решетки с переменной глубиной травления (вплоть до 4.6 мкм) позволило реализовать одночастотный режим генерации на длине волны 7.42 и 7.66 мкм при температурах 85 и 293 K. Максимальный коэффициент подавления боковых мод составил 23 дБ при температуре 293 K. Характеристическая температура $T_0$ равнялась 166 K.
Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, одночастотная генерация, фосфид индия, метод прямой ионной литографии, дифракционная решетка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-79-10285
Исследование авторов из Университета ИТМО выполнено при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда № 20-79-10285−П, https://rscf.ru/en/project/20-79-10285/ в части исследования характеристик лазеров.
Поступила в редакцию: 17.03.2025
Исправленный вариант: 31.03.2025
Принята в печать: 10.04.2025
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, Н. Ю. Харин, Е. С. Колодезный, Д. С. Папылев, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, А. Г. Гладышев, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, В. Ю. Паневин, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 23–28
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabKhaKol25}
\by А.~В.~Бабичев, Н.~Ю.~Харин, Е.~С.~Колодезный, Д.~С.~Папылев, Г.~В.~Вознюк, М.~И.~Митрофанов, А.~Г.~Гладышев, С.~О.~Слипченко, А.~В.~Лютецкий, В.~П.~Евтихиев, В.~Ю.~Паневин, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, Н.~А.~Пихтин, А.~Ю.~Егоров
\paper Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2025
\vol 59
\issue 1
\pages 23--28
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7167}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2025.01.60496.7698}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7167
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v59/i1/p23
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025