Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 145–148 (Mi phts7201)  
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs

Н. С. Волковаa, А. П. Горшковa, С. В. Тиховa, Н. В. Байдусьb, С. В. Хазановаa, В. Е. Дегтяревa, Д. О. Филатовb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (152 kB) Английская версия
Аннотация: Исследованы спектры фоточувствительности, фотолюминесценции и электролюминесценции диодных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Si, сформированным на расстоянии 10 нм от квантовой ямы InGaAs. Установлено влияние расположения $\delta$-слоя относительно квантовой ямы на оптоэлектронные свойства структур.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Английская версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 2, Pages 139–142
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615020232
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Волкова, А. П. Горшков, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Д. О. Филатов, “Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 145–148; Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolGorTik15}
\by Н.~С.~Волкова, А.~П.~Горшков, С.~В.~Тихов, Н.~В.~Байдусь, С.~В.~Хазанова, В.~Е.~Дегтярев, Д.~О.~Филатов
\paper Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 145--148
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7201}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195083}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 2
\pages 139--142
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615020232}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7201
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i2/p145
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026