Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Oбсуждаются структурные и оптические свойства гетероструктур со слоями тройных и четверных твердых растворов GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках фосфида галлия и кремния. Исследование структур проводилось методами рентгеновской дифракции высокого разрешения и фотолюминесценции в широком температурном диапазоне 10–300 K. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции твердых растворов с малой долей азота ($x<$ 0.007) наблюдаются четко разрешающиеся узкие линии, связанные с локализованными состояниями азотных пар, и их фононные реплики.