Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 810–816 (Mi phts7319)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов

Е. Д. Мишинаa, Н. Э. Шерстюкa, А. П. Шестаковаa, С. Д. Лавровa, С. В. Семинab, А. С. Сиговa, А. Митиоглуcd, С. Ангелce, Л. Кулюкc

a Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 119454 Москва, Россия
b Radboud University Nijmegen, Institute for Molecules and Materials, 6500 Nijmegen, The Netherlands
c Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova
d Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, 31400 Toulouse, France
e Ruhr-Universitat Bochum, Anorganische Chemie III, D-44801 Bochum, Germany
PDF полного текста (2125 kB) Список цитирования (10) Английская версия
Аннотация: В работе приведены результаты исследования оптических свойств наноразмерных по толщине монокристаллов полупроводниковых соединений MoS$_2$ : Cl$_2$ и WS$_2$ : Br$_2$. В микроскопических изображениях, полученных на длине волны второй гармоники (400 нм) обнаружены краевые эффекты, заключающиеся в усилении или ослаблении интенсивности сигнала второй гармоники. В отличие от предложенных ранее интерференционных механизмов краевых эффектов, рассмотрены неинтерференционные механизмы. Возникновение краевых эффектов связано либо с повышенной концентрацией молекул галогенов Cl$_2$ и Br$_2$, либо с электроиндуцированной второй гармоники, возникающей вследствие изгиба зон на краях отдельных слоев кристаллов.
Поступила в редакцию: 16.12.2014
Принята в печать: 22.12.2014
Английская версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 791–796
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060159
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Д. Мишина, Н. Э. Шерстюк, А. П. Шестакова, С. Д. Лавров, С. В. Семин, А. С. Сигов, А. Митиоглу, С. Ангел, Л. Кулюк, “Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 810–816; Semiconductors, 49:6 (2015), 791–796
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MisSheShe15}
\by Е.~Д.~Мишина, Н.~Э.~Шерстюк, А.~П.~Шестакова, С.~Д.~Лавров, С.~В.~Семин, А.~С.~Сигов, А.~Митиоглу, С.~Ангел, Л.~Кулюк
\paper Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 810--816
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7319}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195202}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 791--796
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060159}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7319
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p810
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:132
    PDF полного текста:92
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026