Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1175–1179 (Mi phts7377)  
Электронные свойства полупроводников

Влияние пластической деформации на магнитные свойства и дислокационную люминесценцию изотопно-обогащенного кремния $^{29}$Si:B

О. В. Коплакa, Э. А. Штейнманb, А. Н. Терещенкоb, Р. Б. Моргуновac

a Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
c Московский государственный гуманитарный университет им. М. А.  Шолохова, 109240 Москва, Россия
PDF полного текста (552 kB) Английская версия
Аннотация: Обнаружена корреляция температурных зависимостей интенсивности линии $D1$ дислокационной люминесценции и магнитного момента пластически деформированных изотопно-обогащенных кристаллов $^{29}$Si:B. Установлено, что магнитная восприимчивость деформированных кристаллов, полученная интегрированием спектров электронного парамагнитного резонанса, и интенсивность линии $D1$ претерпевают схожие немонотонные вариации при изменении температуры в диапазоне 20–32 K.
Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 06.02.2015
Английская версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1140–1144
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090158
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Коплак, Э. А. Штейнман, А. Н. Терещенко, Р. Б. Моргунов, “Влияние пластической деформации на магнитные свойства и дислокационную люминесценцию изотопно-обогащенного кремния $^{29}$Si:B”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1175–1179; Semiconductors, 49:9 (2015), 1140–1144
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KopSteTer15}
\by О.~В.~Коплак, Э.~А.~Штейнман, А.~Н.~Терещенко, Р.~Б.~Моргунов
\paper Влияние пластической деформации на магнитные свойства и дислокационную люминесценцию изотопно-обогащенного кремния $^{29}$Si:B
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1175--1179
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7377}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195264}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1140--1144
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090158}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7377
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1175
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:93
    PDF полного текста:98
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026