Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 77–80 (Mi phts7487)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние олова на процессы формирования нанокристаллов кремния в тонких пленках аморфной матрицы SiO$_x$

В. В. Войтовичa, Р. Н. Руденкоb, А. Г. Колосюкa, Н. Н. Краськоa, В. О. Юхимчукc, М. В. Войтовичc, C. C. Пономаревc, А. Н. Крайчинскийa, В. Ю. Поварчукa, В. А. Макараb

a Институт физики Национальной академии наук Украины, 03650 Киев, Украина
b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, 03680 Киев, Украина
c Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03650 Киев, Украина
Аннотация: Исследовано влияние примеси олова на процессы формирования кристаллов кремния наноразмеров в тонких пленках аморфной оксидно-кремниевой матрицы ($a$-SiO$_x$, $x\approx$ 1.15). Установлено, что примесь олова ускоряет процесс кристаллизации аморфного кремния. После температурной обработки в атмосфере аргона кристаллиты кремния в оксидно-кремниевой матрице с оловом ($a$-SiO$_x$Sn) имеют меньшие размеры (6–9 нм) по сравнению с крсталлитами в $a$-SiO$_x$ ($\ge$ 10 нм). Показано, что в $a$-SiO$_x$Sn объемная доля кристаллической фазы после отжига при температурах 800–1100$^\circ$C возрастает от 20 до 80%. В то же время в образцах без олова кристаллическая фаза кремния появляется только после отжига при температурах 1000 и 1100$^\circ$C, а объемная доля кристаллической фазы составляет 45 и 65% соответственно.
Поступила в редакцию: 16.10.2012
Принята в печать: 20.02.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 73–76
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010242
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Войтович, Р. Н. Руденко, А. Г. Колосюк, Н. Н. Красько, В. О. Юхимчук, М. В. Войтович, C. C. Пономарев, А. Н. Крайчинский, В. Ю. Поварчук, В. А. Макара, “Влияние олова на процессы формирования нанокристаллов кремния в тонких пленках аморфной матрицы SiO$_x$”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 77–80; Semiconductors, 48:1 (2014), 73–76
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VoiRudKol14}
\by В.~В.~Войтович, Р.~Н.~Руденко, А.~Г.~Колосюк, Н.~Н.~Красько, В.~О.~Юхимчук, М.~В.~Войтович, C.~C.~Пономарев, А.~Н.~Крайчинский, В.~Ю.~Поварчук, В.~А.~Макара
\paper Влияние олова на процессы формирования нанокристаллов кремния в тонких пленках аморфной матрицы SiO$_x$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 77--80
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7487}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310697}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 73--76
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010242}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7487
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p77
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026