Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 265–271 (Mi phts7523)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Синтез тонких пленок рутила с проводимостью $p$-типа

В. М. Иевлевab, С. Б. Кущевab, О. В. Овчинниковa, М. П. Сумецa, А. Н. Латышевa, М. Н. Безрядинa, Л. Ю. Леоноваa, С. В. Канныкинab, А. М. Возгорьковa, М. С. Смирновa

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
Аннотация: Исследованы структура, электрофизические и оптические свойства гетероструктур, образующихся в процессах термической обработки и импульсной фотонной обработки в атмосфере кислорода, воздуха и азота пленок Ti на поверхности монокристаллических пластин кремния. Показано, что на воздухе при термической обработке формируется гетероструктура TiO$_2$/Ti$_5$Si$_3$/Si-$p$, а при фотонной обработке – TiO$_2$/TiSi$_2$/Si-$p$. Установлено, что термическая обработка в кислороде пленок Ti, легированных Ni, приводит к формированию пленок рутила с ярко выраженной проводимостью $n$-типа. Термический отжиг пленок Ti на воздухе с последующей фотонной обработкой в среде азота приводит к формированию пленок рутила с проводимостью $p$-типа.
Поступила в редакцию: 28.02.2013
Принята в печать: 26.03.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 251–256
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Иевлев, С. Б. Кущев, О. В. Овчинников, М. П. Сумец, А. Н. Латышев, М. Н. Безрядин, Л. Ю. Леонова, С. В. Канныкин, А. М. Возгорьков, М. С. Смирнов, “Синтез тонких пленок рутила с проводимостью $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 265–271; Semiconductors, 48:2 (2014), 251–256
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IevKusOvc14}
\by В.~М.~Иевлев, С.~Б.~Кущев, О.~В.~Овчинников, М.~П.~Сумец, А.~Н.~Латышев, М.~Н.~Безрядин, Л.~Ю.~Леонова, С.~В.~Канныкин, А.~М.~Возгорьков, М.~С.~Смирнов
\paper Синтез тонких пленок рутила с проводимостью $p$-типа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 265--271
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7523}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310733}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 251--256
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7523
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p265
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025