Дефектообразование в синтетическом алмазе при высокоэнергетичной ионной имплантации

Методами катодо- и фотолюминесценции исследованы центры, обусловленные примесными и собственными дефектами, введенными в синтетический алмаз имплантацией ионов углерода с энергией 82 МэВ. Наблюдаемое уширение спектральных линий, ослабление влияния температуры на спектральные характеристики центров, особенности поведения этих центров при отжиге объясняются, во-первых, наличием у синтетического алмаза в отличие от природного метастабильной дефектной структуры и, во-вторых, уменьшением электрон-фононного взаимодействия в кристаллах, облученных ионами больших энергий.