Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 358–363 (Mi phts7538)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов

А. Д. Буравлевab, Н. В. Сибиревabc, Е. П. Гильштейнac, П. Н. Брунковac, И. С. Мухинdc, M. Tchernychevae, А. И. Хребтовc, Ю. Б. Самсоненкоa, Г. Э. Цырлинab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Институт аналитического приборостроения РАН, 190103 Санкт-Петербург, Россия
e Institut d’Electronique Fondamentale UMR CNRS 8622, Université Paris Sud 11, 91405 Orsay Cedex, France
PDF полного текста (524 kB) Список цитирования (2) Английская версия
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов. Использование электронно-лучевой литографии позволило создать электрические контакты к одиночным нитевидным нанокристаллам. Изучено влияние температуры отжига на свойства контактов. Определена оптимальная температура отжига, равная 160$^\circ$C. Обнаружено, что повышение температуры отжига ведет к деградации структур. На основании исследования вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных наноструктур был определен ряд их электрофизических параметров, таких как удельное сопротивление и подвижность носителей заряда.
Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 344–349
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 358–363; Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BouSibGil14}
\by А.~Д.~Буравлев, Н.~В.~Сибирев, Е.~П.~Гильштейн, П.~Н.~Брунков, И.~С.~Мухин, M.~Tchernycheva, А.~И.~Хребтов, Ю.~Б.~Самсоненко, Г.~Э.~Цырлин
\paper Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 358--363
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7538}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310748}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 344--349
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030075}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7538
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p358
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:151
    PDF полного текста:61
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026