Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN

Экспериментальные образцы полупроводниковых гетероструктур cо слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и квантовыми ямами In$_{1-x-y}$GaP$_y$N$_x$ и GaP$_y$N$_x$As$_{1-x-y}$ синтезированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaP (001). В ходе выполнения работы методом рентгеновской дифракции исследовались структурные свойства образцов и определялась мольная доля азота $x$ в слоях GaP$_{1-x}$N$_x$. Для сопоставления структурных и оптических свойств образцов были проведены исследования фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaP$_{1-x}$N$_x$ и гетероструктур с квантовыми ямами InGaPN и GaPAsN с барьерными слоями GaPN. Результаты исследования образцов GaP$_{1-x}$N$_x$ методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции сравниваются со значениями параметров образцов, рассчитанными с использованием модели гибридизации зон (“band anticrossing model” или BAC-модель). На основе результатов экспериментов и расчетов, выполненных в настоящей работе, мы приходим к выводу, что параметр гибридизации не является постоянной величиной, а зависит от мольной доли азота.