Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 518–522 (Mi phts7569)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN

А. В. Бабичевab, А. А. Лазаренкоa, Е. В. Никитинаa, Е. В. Пироговa, М. С. Соболевa, А. Ю. Егоровa

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (355 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Впервые представлены результаты по созданию светодиодов белого свечения на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN на подложке фосфида галлия. Продемонстрирована электролюминесценция гетероструктур с непрерывным спектром в диапазоне длин волн от 350 до 1050 нм. Вывод света через боковые грани и лицевую часть образца позволил реализовать белое свечение за счет сверхширокого спектра электролюминесценции, перекрывающего весь видимый диапазон и часть ближнего инфракрасного диапазона. При выводе излучения через подложку коротковолновая часть спектра поглощается в слое GaP.
Поступила в редакцию: 23.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 501–504
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261404006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 518–522; Semiconductors, 48:4 (2014), 501–504
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabLazNik14}
\by А.~В.~Бабичев, А.~А.~Лазаренко, Е.~В.~Никитина, Е.~В.~Пирогов, М.~С.~Соболев, А.~Ю.~Егоров
\paper Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 518--522
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7569}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310780}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 501--504
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261404006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7569
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p518
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025