Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия

При 4.2 K исследована фотолюминесценция эпитаксиальных пленок антимонида галлия, легированного индием. Обнаружено, что легирование индием до уровня ${\sim0.1}$ ат% (${3\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$) приводит к уменьшению концентрации основных «природных» акцепторов, понижению концентрации свободных дырок и усилению экситонной излучательной рекомбинации. Установлено, что наиболее вероятная причина этих явлений — уменьшение концентрации вакансий в анионной подрешетке.