Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1027–1032 (Mi phts7663)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$

С. А. Немовab, Н. М. Благихa, М. Б. Джафаровc

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
c Азербайджанский технологический университет, Az-2011 Гянджа, Азербайджан
Аннотация: Экспериментальные данные по явлениям переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$ качественно и количественно объяснены в двухзонной модели с межзонным рассеянием в диапазоне температур 77–300 K. Определены параметры двухзонной модели: эффективные массы плотности состояний легких и тяжелых дырок $m_{d1}\approx$ 0.5 $m_0$, $m_{d2}\approx$ 0.9 $m_0$ ($m_0$ – масса свободного электрона), энергетический зазор между неэквивалентными экстремумами $\Delta E_v(T)\approx$ 0.23 – 4.5 $\cdot$ 10$^{-2}$($T$/100 – 1) эВ.
Поступила в редакцию: 18.12.2013
Принята в печать: 23.12.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 999–1005
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614080193
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Н. М. Благих, М. Б. Джафаров, “Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1027–1032; Semiconductors, 48:8 (2014), 999–1005
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemBlaDzh14}
\by С.~А.~Немов, Н.~М.~Благих, М.~Б.~Джафаров
\paper Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1027--1032
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7663}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018905}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 999--1005
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614080193}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7663
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1027
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026