|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1027–1032
(Mi phts7663)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$
С. А. Немовab, Н. М. Благихa, М. Б. Джафаровc a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
c Азербайджанский технологический университет,
Az-2011 Гянджа, Азербайджан
Аннотация:
Экспериментальные данные по явлениям переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$ качественно и количественно объяснены в двухзонной модели с межзонным рассеянием в диапазоне температур 77–300 K. Определены параметры двухзонной модели: эффективные массы плотности состояний легких и тяжелых дырок $m_{d1}\approx$ 0.5 $m_0$, $m_{d2}\approx$ 0.9 $m_0$ ($m_0$ – масса свободного электрона), энергетический зазор между неэквивалентными экстремумами $\Delta E_v(T)\approx$ 0.23 – 4.5 $\cdot$ 10$^{-2}$($T$/100 – 1) эВ.
Поступила в редакцию: 18.12.2013 Принята в печать: 23.12.2013
Образец цитирования:
С. А. Немов, Н. М. Благих, М. Б. Джафаров, “Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1027–1032; Semiconductors, 48:8 (2014), 999–1005
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7663 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1027
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 60 | | PDF полного текста: | 19 |
|