Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1535–1539 (Mi phts7751)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Газочувствительные слои на основе фрактально-перколяционных структур

В. А. Мошниковab, С. С. Налимоваa, Б. И. Селезневb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
b Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия
PDF полного текста (934 kB) Список цитирования (11) Английская версия
Аннотация: Разработана модель чувствительных слоев со “встроенной” структурой перколяционного кластера вблизи порога протекания. Показано, что при взаимодействии таких газочувствительных слоев с восстанавливающими газами значение газочувствительности может на несколько порядков превышать типичные значения. Рассмотрены особенности изменения импедансного отклика перколяционных структур вблизи порога протекания на воздухе и при воздействии восстанавливающих газов.
Поступила в редакцию: 12.03.2014
Принята в печать: 26.03.2014
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1499–1503
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614110177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Мошников, С. С. Налимова, Б. И. Селезнев, “Газочувствительные слои на основе фрактально-перколяционных структур”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1535–1539; Semiconductors, 48:11 (2014), 1499–1503
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MosNalSel14}
\by В.~А.~Мошников, С.~С.~Налимова, Б.~И.~Селезнев
\paper Газочувствительные слои на основе фрактально-перколяционных структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1535--1539
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7751}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018997}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1499--1503
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614110177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7751
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1535
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026