Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$

Методом эпитаксии из металлорганических соединений на подложках GaAs получены спонтанно упорядоченные слои AlGaInP$_2$ со структурой CuPt$_{\mathrm{B}}$ и степенью упорядочения $\eta$ = 0.16–0.46. Используя метод зондовой микроскопии Кельвина, обнаружена зависимость величины поверхностного потенциала слоев от $\eta$. Сравнительный анализ поведения CuPt$_{\mathrm{B}}$-AlGaInP$_2$- и CuPt$_{\mathrm{B}}$-GaInP$_2$-твердых растворов при механическом воздействии показал наличие мартенситного перехода и связанного с ним изменения поверхностного потенциала в обоих материалах. Обнаружено влияние Al на увеличение величины встроенного электрического поля в напряженном состоянии кристаллической решетки, а также уменьшение времени восстановления (релаксации) слоя.