Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 267–272 (Mi phts7838)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Углеродные системы

Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC

Н. В. Агринскаяa, В. А. Березовецab, В. И. Козубa, И. С. Котоусоваa, А. А. Лебедевa, С. П. Лебедевa, А. А. Ситниковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 53421 Wroclaw, Poland
Аннотация: Исследованы транспортные свойства слоев наноуглерода на подложке 6H-SiC, полученные сублимацией в вакууме. Было обнаружено, что данные слои состоят из прилегающего к подложке слоя графена, затем слоя мультиграфена, покрытого поликристаллической карбиноподобной фазой. При этом вид кривых магнетосопротивления и осцилляции Шубникова–де-Гааза проявляли черты, свойственные однослойному графену. Сопротивление при низких температурах демонстрировало рост с ростом температуры, что также соответствует поведению однослойного графена (антилокализация). В то же время при более высоких температурах сопротивление падало с ростом температуры, что соответствует слабой локализации. Мы полагаем, что наблюдаемое поведение может быть объяснено параллельной комбинацией вкладов в проводимость однослойного графена и мультиграфена.
Поступила в редакцию: 06.08.2012
Принята в печать: 13.08.2012
Английская версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 301–306
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Агринская, В. А. Березовец, В. И. Козуб, И. С. Котоусова, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, “Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 267–272; Semiconductors, 47:2 (2013), 301–306
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgrBerKoz13}
\by Н.~В.~Агринская, В.~А.~Березовец, В.~И.~Козуб, И.~С.~Котоусова, А.~А.~Лебедев, С.~П.~Лебедев, А.~А.~Ситникова
\paper Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6\emph{H}-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 267--272
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7838}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319376}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 301--306
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7838
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p267
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026