Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 433–434 (Mi phts7867)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Экспериментальное наблюдение гигантского зеемановского расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs

П. В. Петров, Ю. Л. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (225 kB) Список цитирования (2) Английская версия
Аннотация: Экспериментально, методом измерения поляризованной фотолюминесценции в магнитном поле, измерена величина парамагнитного расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs. Обнаружено ранее предсказанное теоретически явление гигантского расщепления, приводящее к увеличению $g$-фактора легкой дырки до 9.4.
Поступила в редакцию: 25.09.2012
Принята в печать: 17.10.2012
Английская версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 455–456
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040180
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, “Экспериментальное наблюдение гигантского зеемановского расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 433–434; Semiconductors, 47:4 (2013), 455–456
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PetIva13}
\by П.~В.~Петров, Ю.~Л.~Иванов
\paper Экспериментальное наблюдение гигантского зеемановского расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 433--434
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7867}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319405}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 455--456
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040180}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7867
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p433
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026