Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 145–149 (Mi phts8137)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Кинетика образования трещин в пористом кремнии

Д. С. Гаев, С. Ш. Рехвиашвили

Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, 360004 Нальчик, Россия
PDF полного текста (1546 kB) Список цитирования (14) Английская версия
Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование образования трещин в пористом кремнии, полученном электрохимическим способом. Обнаружено, что кинетика растрескивания пористого кремния описывается $s$-образным распределением Вейбулла. Данный факт, по-видимому, имеет неспецифический (общий) характер и может проявляться при образовании трещин в других твердых пористых материалах.
Поступила в редакцию: 05.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011
Английская версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 137–140
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Гаев, С. Ш. Рехвиашвили, “Кинетика образования трещин в пористом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 145–149; Semiconductors, 46:2 (2012), 137–140
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaeRek12}
\by Д.~С.~Гаев, С.~Ш.~Рехвиашвили
\paper Кинетика образования трещин в пористом кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 145--149
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8137}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319068}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 137--140
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8137
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p145
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:21
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026