Картирование усиления двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка

Приведены результаты экспериментального исследования в режиме картирования образца при комнатной температуре двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка, представляющих собой свободно стоящие совокупности микростержней. Получены спектры двухфотонной люминесценции в экситонной области для отдельных микростержней. Степенна́я зависимость роста интенсивности люминесценции от мощности оптической накачки с показателем степени $n>$ 2 и наличие пороговой мощности, характеризующейся отклонением от квадратичной зависимости в экситонной области, свидетельствуют о возникновении усиления света в отдельном микростержне оксида цинка и условий, предшествующих лазерной генерации.