Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8, страницы 1101–1107 (Mi phts8313)  
Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем

А. С. Леньшинa, В. М. Кашкаровa, П. В. Серединa, Д. А. Минаковa, Б. Л. Агаповa, М. А. Кузнецоваb, В. А. Мошниковb, Э. П. Домашевскаяb

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1885 kB) Список цитирования (22) Английская версия
Аннотация: Исследованы особенности роста многослойного пористого кремния со слоями различной пористости, полученного электрохимическим травлением на пластине монокристаллического кремния $n$-типа (111) с эпитаксиально сформированным на поверхности $p^+$-слоем. Установлена возможность получения многослойной системы упорядоченных пор различного размера в рамках одного технологического цикла и показаны различия в оптических характеристиках отдельных слоев полученной структуры.
Поступила в редакцию: 31.01.2012
Принята в печать: 03.02.2012
Английская версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 8, Pages 1079–1084
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612080131
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, М. А. Кузнецова, В. А. Мошников, Э. П. Домашевская, “Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1101–1107; Semiconductors, 46:8 (2012), 1079–1084
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LenKasSer12}
\by А.~С.~Леньшин, В.~М.~Кашкаров, П.~В.~Середин, Д.~А.~Минаков, Б.~Л.~Агапов, М.~А.~Кузнецова, В.~А.~Мошников, Э.~П.~Домашевская
\paper Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1101--1107
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8313}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319235}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1079--1084
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612080131}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8313
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i8/p1101
    • Эта публикация цитируется в следующих 22 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026