Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 1, страницы 38–43 (Mi phts8430)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием

Н. А. Абдуллаевa, Н. М. Абдуллаевa, Х. В. Алигулиеваa, Т. Г. Керимоваa, Г. С. Мехдиевa, С. А. Немовb

a Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления ($T$ = 5–300 K) в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффект Холла и магнитосопротивление ($H<$ 80 кЭ, $T$ = 0.5–4.2 K) в монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием. Показано, что легирование Bi$_2$Te$_3$ атомами тербия оказывает акцепторное действие и приводит к увеличению концентрации дырок. Легирование атомами хлора меняет не только тип проводимости Bi$_2$Te$_3$ на $n$-тип, но и характер проводимости. В температурной зависимости удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям, возникает участок с активационной проводимостью, обусловленной прыжковой проводимостью по локализованным состояниям. Предложен механизм переноса заряда в монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором.
Поступила в редакцию: 22.04.2010
Принята в печать: 17.05.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 1, Pages 37–42
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611010027
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Абдуллаев, Н. М. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, Т. Г. Керимова, Г. С. Мехдиев, С. А. Немов, “Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием”, Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 38–43; Semiconductors, 45:1 (2011), 37–42
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbdAbdAli11}
\by Н.~А.~Абдуллаев, Н.~М.~Абдуллаев, Х.~В.~Алигулиева, Т.~Г.~Керимова, Г.~С.~Мехдиев, С.~А.~Немов
\paper Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 1
\pages 38--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8430}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318449}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 1
\pages 37--42
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611010027}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8430
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i1/p38
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026