|
|
Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 1, страницы 38–43
(Mi phts8430)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием
Н. А. Абдуллаевa, Н. М. Абдуллаевa, Х. В. Алигулиеваa, Т. Г. Керимоваa, Г. С. Мехдиевa, С. А. Немовb a Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана,
AZ-1143 Баку, Азербайджан
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления ($T$ = 5–300 K) в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффект Холла и магнитосопротивление ($H<$ 80 кЭ, $T$ = 0.5–4.2 K) в монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием. Показано, что легирование Bi$_2$Te$_3$ атомами тербия оказывает акцепторное действие и приводит к увеличению концентрации дырок. Легирование атомами хлора меняет не только тип проводимости Bi$_2$Te$_3$ на $n$-тип, но и характер проводимости. В температурной зависимости удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям, возникает участок с активационной проводимостью, обусловленной прыжковой проводимостью по локализованным состояниям. Предложен механизм переноса заряда в монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором.
Поступила в редакцию: 22.04.2010 Принята в печать: 17.05.2010
Образец цитирования:
Н. А. Абдуллаев, Н. М. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, Т. Г. Керимова, Г. С. Мехдиев, С. А. Немов, “Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием”, Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 38–43; Semiconductors, 45:1 (2011), 37–42
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8430 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i1/p38
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 55 | | PDF полного текста: | 33 |
|