Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 414–418 (Mi phts8496)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии

П. А. Бородинa, А. А. Бухараевa, Д. О. Филатовb, М. А. Исаковb, В. Г. Шенгуровb, В. Ю. Чалковb, С. А. Денисовb

a Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (2287 kB) Список цитирования (4) Английская версия
Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si(001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si(001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge$_{0.3}$Si$_{0.7}$/Si(001) проявляют свойства гетероструктур I типа.
Поступила в редакцию: 14.07.2010
Принята в печать: 26.07.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 3, Pages 403–407
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611030080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Бородин, А. А. Бухараев, Д. О. Филатов, М. А. Исаков, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, “Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011), 414–418; Semiconductors, 45:3 (2011), 403–407
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorBukFil11}
\by П.~А.~Бородин, А.~А.~Бухараев, Д.~О.~Филатов, М.~А.~Исаков, В.~Г.~Шенгуров, В.~Ю.~Чалков, С.~А.~Денисов
\paper Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 3
\pages 414--418
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8496}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318571}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 3
\pages 403--407
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611030080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8496
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i3/p414
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:114
    PDF полного текста:67
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026