Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC

Проведено исследование пленок мультиграфена, полученных сублимацией на поверхности полуизолирующей подложки 6H-SiC. Показано, что использование предростового отжига подложки в квазизамкнутой ростовой ячейке приводит к улучшению структурного совершенства пленки мультиграфена. К пленке были сделаны омические контакты и проведено исследование эффекта Холла при низких температурах. В пленках было обнаружено наличие двумерного дырочного газа. Был сделан вывод, что проводимость пленки определяется дефектами, существующими в слое графена или на интерфейсе между пленкой графена и подложкой SiC.