Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6, страницы 740–742 (Mi phts8552)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия

С. А. Немов, Ю. И. Равич, В. И. Корчагин

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Производится расчет фактора Холла с учетом резонансного рассеяния дырок на примеси таллия в PbTe. Вычисленный фактор Холла существенно отличается от единицы при низких температурах ($T\approx$ 77 K) и относительно малых содержаниях Tl ($N_{\mathrm{Tl}}\approx$ 0.5 ат%). Уточняется энергия резонансных уровней с использованием скорректированного фактора Холла. Оказывается, что энергия примесных резонансных состояний не зависит от концентрации таллия вплоть до 2 ат% Tl, в отличие от ранее полученных результатов.
Поступила в редакцию: 29.11.2010
Принята в печать: 06.12.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 6, Pages 724–726
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611060169
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Ю. И. Равич, В. И. Корчагин, “Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 740–742; Semiconductors, 45:6 (2011), 724–726
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemRavKor11}
\by С.~А.~Немов, Ю.~И.~Равич, В.~И.~Корчагин
\paper Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 6
\pages 740--742
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8552}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318682}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 6
\pages 724--726
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611060169}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8552
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i6/p740
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026