Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6, страницы 765–769 (Mi phts8557)  
Эта публикация цитируется в 30 научных статьях (всего в 30 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Физические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки

С. А. Башкиров, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов

Научно-практический центр по материаловедению Национальной академии наук Республики Беларусь 220072 Минск, Республика Беларусь
PDF полного текста (511 kB) Список цитирования (30) Английская версия
Аннотация: Представлены результаты исследования микроструктуры и оптических свойств тонких пленок SnS, полученных на стеклянных подложках методом горячей стенки, в зависимости от условий получения. Исследованы фазовый и элементный состав, морфология поверхности и спектры пропускания полученных пленок в диапазоне длин волн 400–2500 нм. Однофазные пленки характеризуются близким к стехиометрии элементным составом и высокой степенью преимущественной ориентации в плоскости (040). Оптическая ширина запрещенной зоны для прямых переходов составляет 1.07–1.27 эВ в зависимости от толщины пленок.
Поступила в редакцию: 18.11.2010
Принята в печать: 01.12.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 6, Pages 749–752
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611060030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Башкиров, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов, “Физические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 765–769; Semiconductors, 45:6 (2011), 749–752
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BasGreIva11}
\by С.~А.~Башкиров, В.~Ф.~Гременок, В.~А.~Иванов
\paper Физические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 6
\pages 765--769
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8557}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318695}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 6
\pages 749--752
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611060030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8557
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i6/p765
    • Эта публикация цитируется в следующих 30 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:80
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026