Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 6, страницы 840–846 (Mi phts8570)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии

И. П. Сошниковab, Дм. Е. Афанасьевc, Г. Э. Цырлинabd, В. А. Петровab, Е. М. Танклевскаяb, Ю. Б. Самсоненкоabd, А. Д. Буравлевab, А. И. Хребтовb, В. М. Устиновab

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (3421 kB) Список цитирования (2) Английская версия
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование процессов формирования упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs на положках GaAs(111)B методами электронной литографии и каталитического роста в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены основные параметры электронно-литографического процесса для формирования каталитических капель Au с размерами от 10 до 150 нм. Установлено, что последующий рост при молекулярно-пучковой эпитаксии протекает по преимущественно диффузионному механизму. Показано, что на участках с повторным экспонированием в электронном пучке после “взрывного” (lift off) процесса может наблюдаться подавление роста нитевидных нанокристаллов.
Поступила в редакцию: 16.11.2010
Принята в печать: 22.11.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 6, Pages 822–827
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611060236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, Г. Э. Цырлин, В. А. Петров, Е. М. Танклевская, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, А. И. Хребтов, В. М. Устинов, “Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 840–846; Semiconductors, 45:6 (2011), 822–827
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SotAfaCir11}
\by И.~П.~Сошников, Дм.~Е.~Афанасьев, Г.~Э.~Цырлин, В.~А.~Петров, Е.~М.~Танклевская, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~Д.~Буравлев, А.~И.~Хребтов, В.~М.~Устинов
\paper Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 6
\pages 840--846
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8570}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318730}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 6
\pages 822--827
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611060236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8570
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i6/p840
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:197
    PDF полного текста:95
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026