Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 7, страницы 865–873 (Mi phts8575)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Когерентные фазовые равновесия в системе Zn–Cd–Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te

П. П. Москвинa, Л. В. Рашковецкийb, Ф. Ф. Сизовb, В. А. Мошниковc

a Житомирский государственный технологический университет
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
PDF полного текста (564 kB) Список цитирования (2) Английская версия
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано влияние упругих напряжений, возникающих в эпитаксиальных слоях твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te, осаждаемых на подложку CdTe, на параметры процесса выращивания. Фазовые равновесия между упругонапряженным слоем твердого раствора, кристаллическая решетка которого непрерывным образом (когерентно) сопряжена с кристаллической решеткой массивной подложки, описывались когерентной диаграммой состояния. Процессы массопереноса вещества при формировании гетероструктур на основе указанных твердых растворов и подложки из исходных двухкомпонентных соединений описывались в модели диффузионно-ограниченной кристаллизации. Показано, что такими термодинамическими представлениями возможно описать полученные экспериментальные данные по параметрам проведения процесса кристаллизации упругонапряженных слоев твердых растворов при формировании гетеропереходов в системе, включающей Zn–Cd–Te и подложку из исходного двухкомпонентного соединения.
Поступила в редакцию: 16.06.2010
Принята в печать: 03.12.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 7, Pages 837–844
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611070141
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. П. Москвин, Л. В. Рашковецкий, Ф. Ф. Сизов, В. А. Мошников, “Когерентные фазовые равновесия в системе Zn–Cd–Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 865–873; Semiconductors, 45:7 (2011), 837–844
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MosRasSiz11}
\by П.~П.~Москвин, Л.~В.~Рашковецкий, Ф.~Ф.~Сизов, В.~А.~Мошников
\paper Когерентные фазовые равновесия в системе Zn--Cd--Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 7
\pages 865--873
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8575}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318742}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 7
\pages 837--844
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611070141}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8575
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i7/p865
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026