|
|
Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8, страницы 1021–1025
(Mi phts8599)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn
М. К. Житинскаяa, С. А. Немовab, В. Р. Мухтаровa, Т. Е. Свечниковаc a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
Аннотация:
В твердом растворе (Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$)$_{1-x}$Sn$_x$Te$_3$ с различным содержанием Sn измерены удельная электропроводность $\sigma_{11}$, коэффициенты Холла $R_{123}$ и $R_{321}$, коэффициенты Зеебека $S_{11}$ и $S_{33}$, коэффициенты Нернста–Эттингсгаузена $Q_{123}$ и $Q_{321}$. Показано, что легирование оловом в значительной степени модифицирует температурные зависимости кинетических коэффициентов. Изучено влияние олова на электрическую однородность образцов: увеличение количества атомов Sn, введенного в состав, повышает однородность кристаллов. Эти особенности свидетельствуют о наличии квазилокальных состояний Sn в валентной зоне Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$. В рамках однозонной модели сделаны оценки эффективной массы плотности состояний дырок $m_d$, ширины запрещенной зоны, экстраполированной к 0 K ($E_{g0}$ = 0.20–0.25 eV), энергии примесных состояний ($E_{\mathrm{Sn}}\approx$ 40–45 meV) и параметра рассеяния ($r\approx$ 0.1–0.4). Численные значения параметра рассеяния указывают на смешанный механизм рассеяния в исследуемых образцах при доминирующем рассеянии на акустических фононах. При увеличении содержания олова в составе образцов возрастает вклад примесного рассеяния.
Поступила в редакцию: 20.01.2011 Принята в печать: 26.01.2011
Образец цитирования:
М. К. Житинская, С. А. Немов, В. Р. Мухтаров, Т. Е. Свечникова, “Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1021–1025; Semiconductors, 45:8 (2011), 988–992
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8599 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i8/p1021
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 38 | | PDF полного текста: | 28 |
|