Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8, страницы 1021–1025 (Mi phts8599)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn

М. К. Житинскаяa, С. А. Немовab, В. Р. Мухтаровa, Т. Е. Свечниковаc

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
Аннотация: В твердом растворе (Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$)$_{1-x}$Sn$_x$Te$_3$ с различным содержанием Sn измерены удельная электропроводность $\sigma_{11}$, коэффициенты Холла $R_{123}$ и $R_{321}$, коэффициенты Зеебека $S_{11}$ и $S_{33}$, коэффициенты Нернста–Эттингсгаузена $Q_{123}$ и $Q_{321}$. Показано, что легирование оловом в значительной степени модифицирует температурные зависимости кинетических коэффициентов. Изучено влияние олова на электрическую однородность образцов: увеличение количества атомов Sn, введенного в состав, повышает однородность кристаллов. Эти особенности свидетельствуют о наличии квазилокальных состояний Sn в валентной зоне Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$. В рамках однозонной модели сделаны оценки эффективной массы плотности состояний дырок $m_d$, ширины запрещенной зоны, экстраполированной к 0 K ($E_{g0}$ = 0.20–0.25 eV), энергии примесных состояний ($E_{\mathrm{Sn}}\approx$ 40–45 meV) и параметра рассеяния ($r\approx$ 0.1–0.4). Численные значения параметра рассеяния указывают на смешанный механизм рассеяния в исследуемых образцах при доминирующем рассеянии на акустических фононах. При увеличении содержания олова в составе образцов возрастает вклад примесного рассеяния.
Поступила в редакцию: 20.01.2011
Принята в печать: 26.01.2011
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 8, Pages 988–992
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611080240
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. К. Житинская, С. А. Немов, В. Р. Мухтаров, Т. Е. Свечникова, “Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1021–1025; Semiconductors, 45:8 (2011), 988–992
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhiNemMuk11}
\by М.~К.~Житинская, С.~А.~Немов, В.~Р.~Мухтаров, Т.~Е.~Свечникова
\paper Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 8
\pages 1021--1025
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8599}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318895}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 8
\pages 988--992
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611080240}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8599
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i8/p1021
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026