Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8, страницы 1084–1089 (Mi phts8609)  
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства

В. Ф. Гременокa, В. Ю. Рудьb, Ю. В. Рудьc, С. А. Башкировa, В. А. Ивановa

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Республика Беларусь
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (875 kB) Список цитирования (20) Английская версия
Аннотация: Методом “горячей стенки” при температурах подложки 210–330$^\circ$C получены тонкие пленки Pb$_x$Sn$_{1-x}$S. Исследованы микроструктура, элементный состав, морфология и электрические характеристики пленок. На основе полученных пленок впервые созданы фоточувствительные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S. Исследованы спектры фоточувствительности этих структур, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения тонких поликристаллических пленок Pb$_x$Sn$_{1-x}$S в фотопреобразователях солнечного излучения.
Поступила в редакцию: 12.01.2011
Принята в печать: 21.01.2011
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 8, Pages 1053–1058
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611080094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Гременок, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, С. А. Башкиров, В. А. Иванов, “Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1084–1089; Semiconductors, 45:8 (2011), 1053–1058
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GreRudRud11}
\by В.~Ф.~Гременок, В.~Ю.~Рудь, Ю.~В.~Рудь, С.~А.~Башкиров, В.~А.~Иванов
\paper Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 8
\pages 1084--1089
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8609}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318905}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 8
\pages 1053--1058
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611080094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8609
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i8/p1084
    • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:101
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026