Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 8, страницы 1114–1116 (Mi phts8614)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs

И. П. Сошниковab, Дм. Е. Афанасьевc, В. А. Петровa, Г. Э. Цырлинabd, А. Д. Буравлевab, Ю. Б. Самсоненкоabd, А. Хребтовb, Е. М. Танклевскаяb, И. А. Селезневe

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
e Приборостроительный концерн "Океанприбор" (ОАО), Санкт-Петербург
PDF полного текста (1120 kB) Список цитирования (10) Английская версия
Аннотация: Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования $d_{33}\approx$ 26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой.
Поступила в редакцию: 17.02.2011
Принята в печать: 25.02.2011
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 8, Pages 1082–1084
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611080215
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. Хребтов, Е. М. Танклевская, И. А. Селезнев, “Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1114–1116; Semiconductors, 45:8 (2011), 1082–1084
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SotAfaPet11}
\by И.~П.~Сошников, Дм.~Е.~Афанасьев, В.~А.~Петров, Г.~Э.~Цырлин, А.~Д.~Буравлев, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~Хребтов, Е.~М.~Танклевская, И.~А.~Селезнев
\paper Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 8
\pages 1114--1116
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8614}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318910}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 8
\pages 1082--1084
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611080215}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8614
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i8/p1114
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:124
    PDF полного текста:68
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026