Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 9, страницы 1229–1234 (Mi phts8634)  

Эта публикация цитируется в 32 научных статьях (всего в 32 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии

А. С. Леньшинa, В. М. Кашкаровa, П. В. Серединa, Ю. М. Спивакb, В. А. Мошниковb

a Воронежский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье показаны различия в электронном строении и в составе образцов пористого кремния, полученных при одинаковом режиме электрохимического травления на наиболее распространенных подложках $n$- и $p$-типа различной проводимости. Показано, что значительно большее окисление и насыщение водородом наблюдается для пористого слоя, полученного на подложках $n$-типа.
Поступила в редакцию: 07.02.2011
Принята в печать: 16.02.2011
Английская версия:
Semiconductors, 2011, Volume 45, Issue 9, Pages 1183–1188
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782611090168
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Ю. М. Спивак, В. А. Мошников, “Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1229–1234; Semiconductors, 45:9 (2011), 1183–1188
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LenKasSer11}
\by А.~С.~Леньшин, В.~М.~Кашкаров, П.~В.~Середин, Ю.~М.~Спивак, В.~А.~Мошников
\paper Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2011
\vol 45
\issue 9
\pages 1229--1234
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8634}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318955}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2011
\vol 45
\issue 9
\pages 1183--1188
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782611090168}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8634
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i9/p1229
  • Эта публикация цитируется в следующих 32 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026