|
|
Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 9, страницы 1229–1234
(Mi phts8634)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 32 научных статьях (всего в 32 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии
А. С. Леньшинa, В. М. Кашкаровa, П. В. Серединa, Ю. М. Спивакb, В. А. Мошниковb a Воронежский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье показаны различия в электронном строении и в составе образцов пористого кремния, полученных при одинаковом режиме электрохимического травления на наиболее распространенных подложках $n$- и $p$-типа различной проводимости. Показано, что значительно большее окисление и насыщение водородом наблюдается для пористого слоя, полученного на подложках $n$-типа.
Поступила в редакцию: 07.02.2011 Принята в печать: 16.02.2011
Образец цитирования:
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Ю. М. Спивак, В. А. Мошников, “Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1229–1234; Semiconductors, 45:9 (2011), 1183–1188
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8634 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v45/i9/p1229
|
|