Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 170–179 (Mi phts8743)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные и оптические свойства полупроводников

Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN

В. Ю. Давыдовa, А. А. Клочихинab, А. Н. Смирновa, И. Ю. Страшковаa, А. С. Крыловc, Hai Lud, William J. Schaffd, H.-M. Leee, Y.-L. Honge, S. Gwoe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
c Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
d Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA
e Department of Physics, National Tsing-Hua University, Taiwan, Republic of China
Аннотация: Показано, что исследование зависимости примесного резонансного рамановского рассеяния 1-го порядка от частоты возбуждающего света позволяет наблюдать дисперсию полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального InN в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот продольных оптических фононов $E_1$(LO) и $A_1$(LO) гексагонального InN при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2.81 до 1.17 эВ и продольных акустических фононов – в диапазоне от 2.81 до 1.83 эВ. Полученные зависимости позволили экстраполировать дисперсии фононов $A_1$(LO) и $E_1$(LO) вплоть до точки $\Gamma$ зоны Бриллюэна и оценить центрозонные энергии этих ветвей, величины которых до сих пор не установлены однозначно.
Поступила в редакцию: 18.08.2009
Принята в печать: 25.08.2025
Английская версия:
Semiconductors, 2010, Volume 44, Issue 2, Pages 161–170
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782610020065
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ю. Давыдов, А. А. Клочихин, А. Н. Смирнов, И. Ю. Страшкова, А. С. Крылов, Hai Lu, William J. Schaff, H.-M. Lee, Y.-L. Hong, S. Gwo, “Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 170–179; Semiconductors, 44:2 (2010), 161–170
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DavKloSmi10}
\by В.~Ю.~Давыдов, А.~А.~Клочихин, А.~Н.~Смирнов, И.~Ю.~Страшкова, А.~С.~Крылов, Hai~Lu, William~J.~Schaff, H.-M.~Lee, Y.-L.~Hong, S.~Gwo
\paper Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2010
\vol 44
\issue 2
\pages 170--179
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8743}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20317915}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2010
\vol 44
\issue 2
\pages 161--170
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782610020065}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8743
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i2/p170
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:132
    PDF полного текста:83
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026