|
|
Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 170–179
(Mi phts8743)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные и оптические свойства полупроводников
Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN
В. Ю. Давыдовa, А. А. Клочихинab, А. Н. Смирновa, И. Ю. Страшковаa, А. С. Крыловc , Hai Lud, William J. Schaffd, H.-M. Leee, Y.-L. Honge, S. Gwoe a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
c Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
d Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University,
Ithaca, New York 14853, USA
e Department of Physics, National Tsing-Hua University,
Taiwan, Republic of China
Аннотация:
Показано, что исследование зависимости примесного резонансного рамановского рассеяния 1-го порядка от частоты возбуждающего света позволяет наблюдать дисперсию полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального InN в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот продольных оптических фононов $E_1$(LO) и $A_1$(LO) гексагонального InN при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2.81 до 1.17 эВ и продольных акустических фононов – в диапазоне от 2.81 до 1.83 эВ. Полученные зависимости позволили экстраполировать дисперсии фононов $A_1$(LO) и $E_1$(LO) вплоть до точки $\Gamma$ зоны Бриллюэна и оценить центрозонные энергии этих ветвей, величины которых до сих пор не установлены однозначно.
Поступила в редакцию: 18.08.2009 Принята в печать: 25.08.2025
Образец цитирования:
В. Ю. Давыдов, А. А. Клочихин, А. Н. Смирнов, И. Ю. Страшкова, А. С. Крылов, Hai Lu, William J. Schaff, H.-M. Lee, Y.-L. Hong, S. Gwo, “Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 170–179; Semiconductors, 44:2 (2010), 161–170
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8743 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i2/p170
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 132 | | PDF полного текста: | 83 |
|