Параметры самодиффузии в кристаллах подгруппы углерода

Рассчитаны параметры самодиффузии в кристаллах элементов подгруппы углерода: C, Si, Ge, $\alpha$-Sn, Pb. Показано, что учет квантовых эффектов в делокализации атомов приводит к тому, что при низких температурах (меньших температуры Дебая) параметры самодиффузии сильно зависят от температуры, причем энтропия самодиффузии отрицательна: $s_d<$ 0. С ростом температуры функция $s_d$ переходит в положительную область значений. Без каких-либо подгоночных параметров рассчитаны все термодинамические параметры самодиффузии полупроводниковых кристаллов подгруппы углерода. Изучена зависимость параметров самодиффузии от температуры при изобарическом нагреве кристаллов подгруппы IV$a$ от $T$ = 0 K до температуры плавления. Получено хорошее согласие как с экспериментальными, так и с теоретическими оценками других авторов. Обсуждена корреляция энтропии с энтальпией самодиффузии и корреляции объема и энтропии самодиффузии на всем температурном интервале.